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X射線反射

  用于確定半導體晶片單層和多層膜厚度,密度和粗糙度。XRR可以對結晶和非晶材料進行分析。當X射線掠入射照射材料表面,在一定角度產生全反射θc。這個角度非常小,被稱為臨界角。角度變化取決于材料的電子密度。X射線入射角度相對于臨界角較高,X射線穿透材料較深,材料表面為理想平面,反射率在上述這個角度突然下降。如果材料表面粗糙,反射率減少幅度更大。如果這樣的材料作為基板,被一種電子密度不同的材料覆蓋,X射線從薄膜和基板之間的界面反射,薄膜表面會互相干擾——結果產生震蕩。因此,可以通過測量強度確定電子密度分布,并且垂直屬性及表征多層膜的橫向屬性(粗糙度和接口或外層結構相關特性)也可被確定。具體來說,膜厚可通過振蕩周期,表面信息和角相關振蕩模式的振幅來確定。

系統

  • 實驗室XRR: SmartLab?, Ultima IV
  • 高功率 θ/θ測角儀系統: TTRAX III

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